<label id="tkxea"></label>
<big id="tkxea"><strong id="tkxea"></strong></big>
<tt id="tkxea"><ol id="tkxea"></ol></tt>

    《先進功能材料》發表我校教師材料熱電性能的合作研究成果

    時間:2020-09-17瀏覽:1596設置

     

    日前,我校超常配位鍵工程與新材料技術重慶市高校重點實驗室的李佶彪博士(通訊作者)與深圳大學材料學院胡利鵬博士(通訊作者)、美國克萊姆森大學賀健教授(通訊作者)展開合作,在利用深淺能級提升Bi0.5Sb1.5Te3半導體材料的熱電性能研究方面取得進展,相關研究成果發表在Advanced系列旗艦期刊《先進功能材料》(Advanced Functional Materials),該期刊最新影響因子16.836(IF=16.836)。

    李佶彪博士團隊通過摻雜實現了Bi0.396Sb1.525In0.075Cu0.004Te3材料在390K1.61和室溫下1.47的熱電優值。一直以來,半導體中的深淺能級被認為是有害材料性質的,是研究人員需要竭力控制的東西。該團隊以Bi6Sb18Te36為基體,通過In摻雜分別取代其中的一個SbBi原子,成功地引入了雜質態,這種半滿的雜質態在輸運中起著雙重作用,填滿的部分充當這施主深能級的作用,而空的部分則起著受主深能級的作用,這兩種電子態在不同的溫度下最大程度地釋放了材料的熱電性能。團隊的研究表明,可以人為地引入半滿的雜質態而最大程度地利用深淺能級,再通過能帶工程調整帶隙、平化導帶從而弱化Seebeck系數的溫度依賴性和雙極傳導效應。

    在整個研究工作中,李佶彪博士運用DFT計算全面解析了深淺能級的電子結構,并揭示了深淺能級提升熱電性能的理論機制。 

    論文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202005202?af=R 

     

     

                (材料科學與工程學院供稿)


     

    返回原圖
    /

    竞彩258